電子半導體石(shí)墨是一種(zhǒng)高(gāo)純(chún)度(dù)，高性(xìng)能的(dí)碳基功(gōng)能材料，廣泛應用(yòng)於半(bàn)導體(tǐ)製造的關鍵(jiàn)環節(jié)。其(qí)核(hé)心特性包括優異(yì)的導電性，導(dǎo)熱性(xìng)，高(gāo)溫(wēn)穩定性（熔點超3000℃），化(huà)學惰(duò)性及低熱(rè)膨(péng)脹(zhàng)係數(shù)，使(shǐ)其成(chéng)為晶圓加工，單(dān)晶生長和高(gāo)溫工藝(yì)中不(bù)可(kě)少(shǎo)的(dí)基礎(chǔ)材料。

　　在半導體(tǐ)工(gōng)業(yè)中(zhōng)，高(gāo)純(chún)石(shí)墨(mò)（純度通常達(dá)99.99%以上，部(bù)分產品可(kě)達(dá)99.99995%）主要用於製(zhì)造熱(rè)場係統(tǒng)組(zǔ)件，如單晶(jīng)矽(guī)或碳化矽(guī)（SiC）生長爐(lú)中的坩(gān)堝(guō)，加(jiā)熱器(qì)，保(bǎo)溫筒(tǒng)和(hé)基座(zuò)。這些(xiē)部件需在(zài)2000℃以上的極d環(huán)境中(zhōng)長(cháng)期(qī)穩(wěn)定運行(háng)，而(ér)石墨憑借(jiè)均匀的(dí)熱傳導性(xìng)能和抗(kàng)熱震(zhèn)能(néng)力，可有效減少晶體(tǐ)缺陷(xiàn)，提升良品率(shuài)。此(cǐ)外，在外延工(gōng)藝中(zhōng)，石墨(mò)托(tuō)盤作(zuò)為承載(zǎi)基板，因其尺寸穩定(dìng)性(xìng)好，能避免(miǎn)晶(jīng)圓(yuán)因熱應力產生裂(liè)紋。

　　電子半(bàn)導體(tǐ)石(shí)墨(mò)的(dí)應用(yòng)範圍：

　　1，晶(jīng)體生(shēng)長（長晶(jīng)）熱(rè)場部(bù)件(jiàn)

　　這(zhè)是石墨(mò)用量(liáng)最(zuì)大(dà)，要(yào)求(qiú)最(zuì)嚴苛的環節，主要用於矽（Si），碳化矽(guī)（SiC）等(děng)晶錠的(dí)拉製(zhì)：

　　石墨坩堝：直接接觸(chù)高(gāo)溫熔(róng)體（矽(guī)約1420℃，碳化(huà)矽(guī)約2500℃+），盛裝(zhuāng)並熔化原料，要求(qiú)高(gāo)的純度和致(zhì)密度以(yǐ)防汙染。

　　加熱(rè)與(yǔ)熱場結構：包括(kuò)石墨加熱器(qì)（發(fā)熱(rè)體），保(bǎo)溫筒/罩(zhào)（隔熱），導流(liú)筒(tǒng)（引導氣(qì)流(liú)），坩堝托（承(chéng)重）等(děng)，用於構建(jiàn)精(jīng)確的(dí)溫度梯度(dù)和熱場環(huán)境。

　　2，外(wài)延與(yǔ)薄膜(mó)沉(chén)積(jī)（CVD/MOCVD）承(chéng)載(zǎi)件

　　在(zài)矽外延，GaN（LED/射(shè)頻(pín)），SiC外延(yán)等工(gōng)藝(yì)中(zhōng)：

　　石墨基座（托盤(pán)/盤）：用於(yú)承(chéng)載晶(jīng)圓（Wafer）進(jìn)行旋轉(zhuǎn)或(huò)靜(jìng)止加(jiā)熱(rè)。為(wéi)保(bǎo)證外(wài)延(yán)層均匀性和(hé)避免(miǎn)汙(wū)染(rǎn)，高d基座通常表麵塗覆致密(mì)碳化矽（SiC塗(tú)層）。常(cháng)見(jiàn)形(xíng)狀(zhuàng)有(yǒu)煎(jiān)餅式(shì)，桶式(shì)及行星(xīng)式(shì)（用於LED MOCVD）。

　　反應室內部件(jiàn)：如(rú)襯裏，導流(liú)板等，需耐受反應氣體(tǐ)腐(fǔ)蝕(shí)。

　　3，離子(zǐ)注入(rù)機(jī)部件

　　離(lí)子注(zhù)入(rù)是將硼(péng)，磷等(děng)雜質離子加速轟(hōng)擊晶圓以改變電學(xué)性能的(dí)關鍵工序：

　　高(gāo)純石墨部件(jiàn)：用於(yú)製造飛行(háng)管(guǎn)（引導(dǎo)離子束路徑），各種(zhǒng)狹縫，電極(jí)，電極罩，導(dǎo)管(guǎn)，束終止器，屏蔽罩等。石墨(mò)的低(dī)原子序數(shù)使(shǐ)其抗離子轟(hōng)擊能力強，且(qiě)不(bù)易(yì)產(chǎn)生(shēng)金屬汙染(rǎn)。

　　4，等(děng)離(lí)子蝕(shí)刻（刻蝕）設備(bèi)部件

　　在晶(jīng)圓上(shàng)進行微細(xì)圖形(xíng)轉移時(shí)，反應室部件會暴露於高能(néng)離(lí)子轟(hōng)擊(jī)和強腐蝕性氣(qì)體中：

　　石(shí)墨(mò)電極與(yǔ)內(nèi)襯：用作(zuò)上/下(xià)電(diàn)極(jí)，側(cè)壁襯裏，聚(jù)焦(jiāo)環等(děng)。石(shí)墨在等(děng)離(lí)子(zǐ)環境下不(bù)易(yì)受(shòu)腐蝕，且(qiě)不(bù)會像某些金屬(shǔ)那樣產(chǎn)生有害汙染物，保(bǎo)障了刻(kè)蝕的精確度和潔(jié)淨(jìng)度(dù)。

　　5，熱處(chǔ)理(lǐ)與(yǔ)擴散(sàn)工藝部件

　　晶(jīng)圓(yuán)加熱器/載具：用於高(gāo)溫(wēn)退(tuì)火（RTA），氧化，擴(kuò)散(sàn)爐(lú)中的晶圓(yuán)承載盤，推板(bǎn)，晶(jīng)舟（Boat）等，利用其(qí)優異的熱(rè)傳(chuán)導(dǎo)性(xìng)和熱穩(wěn)定性保證(zhèng)工藝(yì)溫(wēn)度均(jūn)匀。

　　爐(lú)管(guǎn)部件：某(mǒu)些高(gāo)溫爐的(dí)內襯(chèn)或(huò)結構件(jiàn)。

　　6，其(qí)他輔助(zhù)與電(diàn)子(zǐ)應(yīng)用(yòng)

　　多晶(jīng)矽(guī)生產：西(xī)門子法中(zhōng)用(yòng)於(yú)通(tōng)電加熱(rè)矽芯的石墨(mò)電(diàn)極。

　　電子封裝(zhuāng)與散(sàn)熱(rè)：石(shí)墨散熱(rè)膜/片（常含(hán)石(shí)墨(mò)烯(xī)材料）用(yòng)於芯(xīn)片或(huò)電(diàn)子(zǐ)設(shè)備(bèi)散熱；石(shí)墨模(mó)具用於(yú)封(fēng)裝；高純(chún)石(shí)墨(mò)還(huán)可(kě)用於(yú)EDM（電(diàn)火花加工(gōng)）電極製作精(jīng)密模(mó)具(jù)。

　　真空鍍(dù)膜：電子束蒸發鍍膜(mó)（E-gun）用(yòng)的石墨坩堝(guō)。